Number of the records: 1
Opitmization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures
Title statement Opitmization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures / aut. Tibor Izsák, Eva Kováčová, Gabriel Vanko, Štefan Haščík, Johann Zehetner, Marian Vojs, Bohumír Zaťko Main entry-name Izsák, Tibor (Author) Another responsib. Kováčová, Eva Z5 (Author) Vanko, Gabriel Z5 (Author) Haščík, Štefan Z5 (Author) Zehetner, Johann (Author) Vojs, Marian, 1979- Z2 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Zaťko, Bohumír (Author) In ADEPT 2022 [274 s.] / Feiler, Martin. -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2022. -- ISBN 978-80-554-1884-1. -- S. 169-172 Subj. Headings ICP GaAs SiO2 deep reactive ion etching Language English Document kind RZB - článok zo zborníka Category AFD - Reports at home scientific conferences Category (from 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Type of document príspevok z podujatia Year 2022 
article
Number of the records: 1