Názvové údaje : Fast 3-D electrothermal device/circuit simulation of power superjunction MOSFET based on SDevice and HSPICE interaction Variant(y) hesla : \q12*stu_us_auth*1 stu57774 \q \q1013 stu_us_auth*stu57774 \d Chvála Aleš \q ; E030  %continue : \q12*stu_us_auth*1 stu3815 \q \q1013 stu_us_auth*stu3815 \d Donoval Daniel \q ; E030 \q12*stu_us_auth*1 stu65038 \q \q1013 stu_us_auth*stu65038 \d Marek Juraj \q ; E030 \q12*stu_us_auth*1 stu90122 \q \q1013 stu_us_auth*stu90122 \d Príbytný Patrik \q ; E030 \q12*stu_us_auth*1 stu96891 \q \q1013 stu_us_auth*stu96891 \d Molnár Marián \q ; E030 \q12*stu_us_auth*1 stu59072 \q \q1013 stu_us_auth*stu59072 \d Mikolášek Miroslav \q ; E030 In : \q12**1 stu289569 \q %continue : IEEE Transactions on Electron Devices %continue : . Vol. 61, Iss. 4 (2014), s. 1116-1122 Druh dok. : článok z periodika Kategória : ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch Kategória od 2022 : V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu