Počet záznamov: 1
The High-Frequency Characterization Of InAlGaN/GaN HEMT utilizing RF Measurements
Údaje o názve The High-Frequency Characterization Of InAlGaN/GaN HEMT utilizing RF Measurements / aut. Martin Florovič, Michal Dzuriš, Jaroslav jr Kováč, René Harťanský, Aleš Chvála, Soňa Kováčová, Jaroslav Kováč Záhlavie-meno Florovič, Martin, 1978- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Dzuriš, Michal, 1998- Z3 (Autor) - FEI Ústav elektrotechniky Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Harťanský, René, 1969- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektrotechniky Chvála, Aleš, 1981- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kováčová, Soňa, 1981- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kováč, Jaroslav, 1947- Z8 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Prekl.náz Vysokofrekvenčná charakterizácia InAlGaN/GaN HEMT tranzistora pomocou RF meraní In ADEPT 2024 [171 s.] / International conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (Adept 2024). -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2024. -- ISBN 978-80-554-2109-4. -- S. 49-52 Predmet.heslá HEMT GaN DC and RF measurements S-parameters Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok 2024 
článok
Počet záznamov: 1