Opitmization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures / aut. Tibor Izsák, Eva Kováčová, Gabriel Vanko, Štefan Haščík, Johann Zehetner, Marian Vojs, Bohumír Zaťko
Izsák Tibor  Kováčová Eva Vanko Gabriel Haščík Štefan Zehetner Johann Vojs Marian ; 033000 Zaťko Bohumír
ADEPT 2022 : . S. 169-172
ICP GaAs SiO2 deep reactive ion etching
článok zo zborníka
AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka