ICP. GaAs. SiO2. deep reactive ion etchingIzsák, Tibor Opitmization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures / aut. Tibor Izsák, Eva Kováčová, Gabriel Vanko, Štefan Haščík, Johann Zehetner, Marian Vojs, Bohumír Zaťko. Kováčová, Eva. Vanko, Gabriel. Haščík, Štefan. Zehetner, Johann. Vojs, Marian, 1979-. Zaťko, Bohumír In: Feiler, Martin. -- ADEPT 2022. -- 1. vyd.. -- 274 s.. -- 978-80-554-1884-1. -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2022. -- S. 169-172.