Počet záznamov: 1
Opitmization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures
SYS 0096151 LBL 00000naa--22^^^^^-a-4500 003 SK-STU 005 20230130142647.8 007 ta 008 220709s^^^^-----------e------000-0-----d 035 $a biblio/1020417 $2 CREPC2 040 $a STU $b slo 041 0-
$a eng 100 1-
$7 stu_us_auth*0091784 $a Izsák, Tibor $4 aut $r Z5 245 10
$a Opitmization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures / $c aut. Tibor Izsák, Eva Kováčová, Gabriel Vanko, Štefan Haščík, Johann Zehetner, Marian Vojs, Bohumír Zaťko 650 04
$7 stu_us_auth*0041844 $a ICP 650 04
$7 stu_us_auth*stus1325 $a GaAs 650 04
$7 stu_us_auth*0103089 $a SiO2 650 04
$7 stu_us_auth*0104192 $a deep reactive ion etching 700 1-
$7 stu_us_auth*stu62286 $a Kováčová, Eva $r Z5 $4 aut 700 1-
$7 stu_us_auth*stu65157 $a Vanko, Gabriel $r Z5 $4 aut 700 1-
$7 stu_us_auth*stu58307 $a Haščík, Štefan $r Z5 $4 aut 700 1-
$7 stu_us_auth*stu130451 $a Zehetner, Johann $4 aut 700 1-
$7 stu_us_auth*stu45741 $a Vojs, Marian, $d 1979- $u 033000 $r Z2 $4 aut $U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky $T FEI Ústav elektroniky a fotoniky $X 2979 $U E030 $Y 549 700 1-
$7 stu_us_auth*stu58272 $a Zaťko, Bohumír $4 aut 773 0-
$w stu_us_cat*0096014 $a Feiler, Martin $t ADEPT 2022 $b 1. vyd. $h 274 s. $z 978-80-554-1884-1 $7 p1am $d Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2022 $g S. 169-172
Počet záznamov: 1