Počet záznamov: 1
Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures
Údaje o názve Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Peter Benc, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková Záhlavie-meno Matuš, Matej, 1997- (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Ďal.zodpovednosť Drobný, Jakub, 1994- (Autor) Benc, Peter, 1998- (Autor) Florovič, Martin, 1978- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Delage, Sylvain Laurent Z6 (Autor) Stuchlíková, Ľubica, 1967- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky In ADEPT 2023 [249 s.] / Jandura, Daniel. -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2023. -- ISBN 978-80-554-1977-0. -- S. 103-106 Predmet.heslá GaN HEMT defects Deep Level Transient Spectroscopy Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok 2023 
článok
Počet záznamov: 1