Počet záznamov: 1
Opitmization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures
Údaje o názve Opitmization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures / aut. Tibor Izsák, Eva Kováčová, Gabriel Vanko, Štefan Haščík, Johann Zehetner, Marian Vojs, Bohumír Zaťko Záhlavie-meno Izsák, Tibor (Autor) Ďal.zodpovednosť Kováčová, Eva Z5 (Autor) Vanko, Gabriel Z5 (Autor) Haščík, Štefan Z5 (Autor) Zehetner, Johann (Autor) Vojs, Marian, 1979- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Zaťko, Bohumír (Autor) In ADEPT 2022 [274 s.] / Feiler, Martin. -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2022. -- ISBN 978-80-554-1884-1. -- S. 169-172 Predmet.heslá ICP GaAs SiO2 deep reactive ion etching Jazyk dok. angličtina Druh dok. RZB - článok zo zborníka Kategória AFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách Kategória od 2022 V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Typ výstupu príspevok z podujatia Rok 2022 
článok
Počet záznamov: 1