HWCVD of B-doped silicon carbide thin films for SHJ solar cell technology /

Počet záznamov: 1

HWCVD of B-doped silicon carbide thin films for SHJ solar cell technology

	CREPC022018 CREPC201802 CREPC201803 CREPC201806
Údaje o názve	HWCVD of B-doped silicon carbide thin films for SHJ solar cell technology / aut. Jozef Huran, Miroslav Mikolášek, Milan Perný, Vladimír Šály, Angela Kleinová, Vlasta Sasinková, Alexander P Kobzev, Juraj Arbet
Záhlavie-meno	Huran, Jozef (Autor)
Ďal.zodpovednosť	Mikolášek, Miroslav, 1983- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
	Perný, Milan, 1985- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroenergetiky a aplikovanej elektrotechniky
	Šály, Vladimír, 1956- Z1 (Autor) - FEI Ústav elektroenergetiky a aplikovanej elektrotechniky
	Kleinová, Angela (Autor)
	Sasinková, Vlasta (Autor)
	Kobzev, Alexander P. (Autor)
	Arbet, Juraj (Autor)
Poznámky	IF = 0,367 , Q=4
In	Integrated Ferroelectrics. -- ISSN 1058-4587. -- Vol. 184, (2017), s. 23-31
Predmet.heslá	SiC thin film
	HWCVD
	structural properties
	SHJ solar cell
Jazyk dok.	angličtina
Druh dok.	RBX - článok z periodika
Kategória	ADC - Vedecké práce v zahraničných karentovaných časopisoch
Kategória od 2022	V3 - Vedecký výstup publikačnej činnosti z časopisu
V databázach
Rok	2017

článok

citace PRO

Počet záznamov: 1