- HWCVD technology of silicon carbide thin films: Properties
Počet záznamov: 1  

HWCVD technology of silicon carbide thin films: Properties

  1. CREPC201511 CREPC201601 CREPC201602 CREPC201603 CREPC201606 CREPC201606O
    Údaje o názveHWCVD technology of silicon carbide thin films: Properties / aut. Jozef Huran, Miroslav Mikolášek, Pavol Boháček, Angela Kleinová, Vlasta Sasinková, Alexander P Kobzev, Mária Sekáčová, J Arbet
    Záhlavie-meno Huran, Jozef (Autor)
    Ďal.zodpovednosť Mikolášek, Miroslav, 1983- Z2 (Autor) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky
    Boháček, Pavol Z5 (Autor)
    Kleinová, Angela Z5 (Autor)
    Sasinková, Vlasta Z5 (Autor)
    Kobzev, Alexander P. Z6 (Autor)
    Sekáčová, Mária Z5 (Autor)
    Arbet, J. Z5 (Autor)
    In ADEPT 2015 [334 s.] / 3rd international conference on advances in electronic and photonic technologies. -- Žilina : University of Žilina, 2015. -- ISBN 978-80-554-1033-3. -- S. 104-107
    Predmet.heslá SiC
    HWCVD
    structural and electrical characterization
    solar structure
    Jazyk dok.angličtina
    Druh dok.RZB - článok zo zborníka
    KategóriaAFD - Publikované príspevky na domácich vedeckých konferenciách
    Kategória od 2022V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka
    Rok2015
    článok

    článok

Počet záznamov: 1  

  Tieto stránky využívajú súbory cookies, ktoré uľahčujú ich prezeranie. Ďalšie informácie o tom ako používame cookies.