Title information : Opitmization of mask material for deep reactive ion etching of GaAs structures / aut. Tibor Izsák, Eva Kováčová, Gabriel Vanko, Štefan Haščík, Johann Zehetner, Marian Vojs, Bohumír Zaťko Variant heading : \q12*stu_us_auth*1 0091784 \q \q1013 stu_us_auth*0091784 \d Izsák Tibor \q  %continue : \q12*stu_us_auth*1 stu62286 \q \q1013 stu_us_auth*stu62286 \d Kováčová Eva \q \q12*stu_us_auth*1 stu65157 \q \q1013 stu_us_auth*stu65157 \d Vanko Gabriel \q \q12*stu_us_auth*1 stu58307 \q \q1013 stu_us_auth*stu58307 \d Haščík Štefan \q \q12*stu_us_auth*1 stu130451 \q \q1013 stu_us_auth*stu130451 \d Zehetner Johann \q \q12*stu_us_auth*1 stu45741 \q \q1013 stu_us_auth*stu45741 \d Vojs Marian \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu58272 \q \q1013 stu_us_auth*stu58272 \d Zaťko Bohumír \q In : \q12**1 0096014 \q %continue : ADEPT 2022 : %continue : . S. 169-172 Subject : \q12*stu_us_auth*1 0041844 \q \q1013 stu_us_auth*0041844 \d ICP \q \q12*stu_us_auth*1 stus1325 \q \q1013 stu_us_auth*stus1325 \d GaAs \q \q12*stu_us_auth*1 0103089 \q \q1013 stu_us_auth*0103089 \d SiO2 \q \q12*stu_us_auth*1 0104192 \q \q1013 stu_us_auth*0104192 \d deep reactive ion etching \q Document kind : článok zo zborníka Category : AFD - Reports at home scientific conferences Category (from 2022) : V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka