Title information : The High-Frequency Characterization Of InAlGaN/GaN HEMT utilizing RF Measurements / aut. Martin Florovič, Michal Dzuriš, Jaroslav jr Kováč, René Harťanský, Aleš Chvála, Soňa Kováčová, Jaroslav Kováč Variant heading : \q12*stu_us_auth*1 stu45730 \q \q1013 stu_us_auth*stu45730 \d Florovič Martin \q ; 033000  %continue : \q12*stu_us_auth*1 0047756 \q \q1013 stu_us_auth*0047756 \d Dzuriš Michal \q ; 034000 \q12*stu_us_auth*1 stu42398 \q \q1013 stu_us_auth*stu42398 \d Kováč Jaroslav jr. \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu20358 \q \q1013 stu_us_auth*stu20358 \d Harťanský René \q ; 034000 \q12*stu_us_auth*1 stu57774 \q \q1013 stu_us_auth*stu57774 \d Chvála Aleš \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu37942 \q \q1013 stu_us_auth*stu37942 \d Kováčová Soňa \q ; 033000 \q12*stu_us_auth*1 stu9825 \q \q1013 stu_us_auth*stu9825 \d Kováč Jaroslav \q ; 033000 In : \q12**1 0110276 \q %continue : ADEPT 2024 : %continue : . S. 49-52 Subject : \q12*stu_us_auth*1 stus1433 \q \q1013 stu_us_auth*stus1433 \d HEMT \q \q12*stu_us_auth*1 stus18930 \q \q1013 stu_us_auth*stus18930 \d GaN \q \q12*stu_us_auth*1 0121462 \q \q1013 stu_us_auth*0121462 \d DC and RF measurements \q \q12*stu_us_auth*1 0098146 \q \q1013 stu_us_auth*0098146 \d S-parameters \q Document kind : článok zo zborníka Category : AFD - Reports at home scientific conferences Category (from 2022) : V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka