Number of the records: 1
GaAs-based MOS structures
SYS stuzp55379 LBL 00000ntm-a22^^^^^3a-4500 003 SK-STU 005 20230413095438.9 007 ta 008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d 040 $a STU $b slo 041 0-
$a eng 100 1-
$7 stu_us_auth*stu108658 $a Gucmann, Filip $u 033000 $4 aut $U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky $T FEI Ústav elektroniky a fotoniky $X 36031 $U E030 $Y 549 242 01
$a Kov-oxid-polovodič (MOS) štruktúry na GaAs $y slo 245 10
$a GaAs-based MOS structures : $b dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13 260 $a Bratislava : $b STU v Bratislave FEI, $c 2015 300 $a 115 s. 650 -4
$a GaAs $2 slo 650 -4
$a MOS $2 slo 650 -4
$a Heteroštruktúra $2 slo 650 -4
$a MOS $2 eng 650 -4
$a Heterostructure $2 eng 650 -4
$a GaAs $2 eng 700 1-
$7 stu_us_auth*stu58958 $a Gregušová, Dagmar $r Z5 $4 ths 856 4-
$u http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130535 SQL $a stuzp55379 $b DDZ $c ENG $d GaAs-based MOS structures $e 36031 $f Gucmann, Filip $g 033000 $h 5381 $i Gregušová, Dagmar $j 20151203 $k 99 $l 03 $m http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130535 $n D-ME $o 5.2.13. elektronika
Number of the records: 1