Number of the records: 1
The High-Frequency Characterization Of InAlGaN/GaN HEMT utilizing RF Measurements
Title statement The High-Frequency Characterization Of InAlGaN/GaN HEMT utilizing RF Measurements / aut. Martin Florovič, Michal Dzuriš, Jaroslav jr Kováč, René Harťanský, Aleš Chvála, Soňa Kováčová, Jaroslav Kováč Main entry-name Florovič, Martin, 1978- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Another responsib. Dzuriš, Michal, 1998- Z3 (Author) - FEI Ústav elektrotechniky Kováč, Jaroslav jr. 1977- Z1 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Harťanský, René, 1969- Z1 (Author) - FEI Ústav elektrotechniky Chvála, Aleš, 1981- Z1 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kováčová, Soňa, 1981- Z2 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Kováč, Jaroslav, 1947- Z8 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Translated title Vysokofrekvenčná charakterizácia InAlGaN/GaN HEMT tranzistora pomocou RF meraní In ADEPT 2024 [171 s.] / International conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies (Adept 2024). -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2024. -- ISBN 978-80-554-2109-4. -- S. 49-52 Subj. Headings HEMT GaN DC and RF measurements S-parameters Language English Document kind RZB - článok zo zborníka Category AFD - Reports at home scientific conferences Category (from 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Type of document príspevok z podujatia Year 2024 
article
Number of the records: 1