Number of the records: 1
Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures
Title statement Deep Level Transient Spectroscopy study of InAlGaN/GaN HEMT structures / aut. Matej Matuš, Jakub Drobný, Peter Benc, Martin Florovič, Sylvain Laurent Delage, Ľubica Stuchlíková Main entry-name Matuš, Matej, 1997- (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Another responsib. Drobný, Jakub, 1994- (Author) Benc, Peter, 1998- (Author) Florovič, Martin, 1978- Z2 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky Delage, Sylvain Laurent Z6 (Author) Stuchlíková, Ľubica, 1967- Z1 (Author) - FEI Ústav elektroniky a fotoniky In ADEPT 2023 [249 s.] / Jandura, Daniel. -- Žilina : Vydavateľstvo EDIS, 2023. -- ISBN 978-80-554-1977-0. -- S. 103-106 Subj. Headings GaN HEMT defects Deep Level Transient Spectroscopy Language English Document kind RZB - článok zo zborníka Category AFD - Reports at home scientific conferences Category (from 2022) V2 - Vedecký výstup publikačnej činnosti ako časť editovanej knihy alebo zborníka Type of document príspevok z podujatia Year 2023 
article
Number of the records: 1